|
| MOQ: | 1 টুকরা / টুকরা |
| মূল্যপরিশোধ পদ্ধতি: | টি / টি |
| সরবরাহ ক্ষমতা: | 100,000 / বছর |
808nm তরঙ্গদৈর্ঘ্য
55W আউটপুট শক্তি
400μm ফাইবার কোর ব্যাস
0.22 এনএ
অ্যাপ্লিকেশন:
সলিড-স্টেট লেজার পাম্পিং
মেডিকেল ব্যবহার
উপাদান প্রক্রিয়াকরণ
| উল্লেখ (25 ℃) | প্রতীক | একক | K808DA5RN-55.00W | |||
| নূন্যতম | বৈশিষ্টসূচক | সর্বাধিক | ||||
অপটিক্যাল ডেটা | সিডাব্লু-আউটপুট শক্তি | পো | ওয়াট | 40 | - | - |
| কেন্দ্র তরঙ্গদৈর্ঘ্য | λc | NM | 805 | - | 811 | |
| প্রান্তিক বর্তমান | ith | একজন | - | 1.8 | ||
| অপারেটিং কারেন্ট | Iop | একজন | - | - | 11 | |
| অপারেটিং ভোল্টেজ | VOP | ভী | - | - | 14 | |
| বিপরীত ভোল্টেজ | Vre | ভী | - | 17.5 | - | |
| Opeাল দক্ষতা | η | ওয়াট / এ | - | 7.4 | - | |
| বৈদ্যুতিক থেকে অপটিক্যাল দক্ষতা | পি ই | % | - | 48 | - | |
| বর্ণালী প্রস্থ (FWHM) | δλ | NM | - | 5 | - | |
| পিছনে প্রতিচ্ছবি তরঙ্গদৈর্ঘ্যের ব্যাপ্তি | λ | NM | 1040 | - | 1200 | |
| তাপমাত্রা সহ তরঙ্গদৈর্ঘ্য শিফট | △ λ / △ টি | NM / ℃ | - | 0.3 | - | |
| বর্তমানের সাথে তরঙ্গদৈর্ঘ্য শিফট | △ λ / △ একজন | NM / এ | - | 1 | - | |
| ফাইবার ডেটা | মূল ব্যাস | Dcore | মাইক্রোমিটার | 400 | ||
| ক্ল্যাডিং ব্যাস | Dclad | উম | - | 440 | - | |
| বাফার ব্যাস | Dbuf | মাইক্রোমিটার | - | 730 | - | |
| সংখ্যার অ্যাপারচার | এন | - | - | 0.22 | - | |
| ফাইবার দৈর্ঘ্য | LC | মি | 1.4 | 1.5 | 1.6 | |
| সংযোগকারী | - | - | - | SMA905 | - | |
| ফাইবার জ্যাকেট | - | - | 3.0mmPVC | |||
| ফাইবার বেন্ড ব্যাসার্ধ | - | মিমি | - | 140 | - | |
| Thermistor | তরঙ্গদৈর্ঘ্য ব্যাপ্তি | RT | (কে Ω) / β (25 ℃) | - | 10 ± 3% / 3477 | - |
| অন্যান্য | ESD | Vesd | ভী | - | 500 | |
| সংগ্রহস্থল তাপমাত্রা | Tstg | ℃ | -20 | - | 70 | |
| লিড সোলারিং টেম্প | TLS | ℃ | - | - | 260 | |
| সোনার সময় নেতৃত্ব | টি | সেকেন্ড | - | - | 10 | |
| অপারেটিং কেস তাপমাত্রা | শীর্ষ | ℃ | 15 | - | 35 | |
| আপেক্ষিক আদ্রতা | আরএইচ | % | 15 | - | 75 | |
|
|
| MOQ: | 1 টুকরা / টুকরা |
| মূল্যপরিশোধ পদ্ধতি: | টি / টি |
| সরবরাহ ক্ষমতা: | 100,000 / বছর |
808nm তরঙ্গদৈর্ঘ্য
55W আউটপুট শক্তি
400μm ফাইবার কোর ব্যাস
0.22 এনএ
অ্যাপ্লিকেশন:
সলিড-স্টেট লেজার পাম্পিং
মেডিকেল ব্যবহার
উপাদান প্রক্রিয়াকরণ
| উল্লেখ (25 ℃) | প্রতীক | একক | K808DA5RN-55.00W | |||
| নূন্যতম | বৈশিষ্টসূচক | সর্বাধিক | ||||
অপটিক্যাল ডেটা | সিডাব্লু-আউটপুট শক্তি | পো | ওয়াট | 40 | - | - |
| কেন্দ্র তরঙ্গদৈর্ঘ্য | λc | NM | 805 | - | 811 | |
| প্রান্তিক বর্তমান | ith | একজন | - | 1.8 | ||
| অপারেটিং কারেন্ট | Iop | একজন | - | - | 11 | |
| অপারেটিং ভোল্টেজ | VOP | ভী | - | - | 14 | |
| বিপরীত ভোল্টেজ | Vre | ভী | - | 17.5 | - | |
| Opeাল দক্ষতা | η | ওয়াট / এ | - | 7.4 | - | |
| বৈদ্যুতিক থেকে অপটিক্যাল দক্ষতা | পি ই | % | - | 48 | - | |
| বর্ণালী প্রস্থ (FWHM) | δλ | NM | - | 5 | - | |
| পিছনে প্রতিচ্ছবি তরঙ্গদৈর্ঘ্যের ব্যাপ্তি | λ | NM | 1040 | - | 1200 | |
| তাপমাত্রা সহ তরঙ্গদৈর্ঘ্য শিফট | △ λ / △ টি | NM / ℃ | - | 0.3 | - | |
| বর্তমানের সাথে তরঙ্গদৈর্ঘ্য শিফট | △ λ / △ একজন | NM / এ | - | 1 | - | |
| ফাইবার ডেটা | মূল ব্যাস | Dcore | মাইক্রোমিটার | 400 | ||
| ক্ল্যাডিং ব্যাস | Dclad | উম | - | 440 | - | |
| বাফার ব্যাস | Dbuf | মাইক্রোমিটার | - | 730 | - | |
| সংখ্যার অ্যাপারচার | এন | - | - | 0.22 | - | |
| ফাইবার দৈর্ঘ্য | LC | মি | 1.4 | 1.5 | 1.6 | |
| সংযোগকারী | - | - | - | SMA905 | - | |
| ফাইবার জ্যাকেট | - | - | 3.0mmPVC | |||
| ফাইবার বেন্ড ব্যাসার্ধ | - | মিমি | - | 140 | - | |
| Thermistor | তরঙ্গদৈর্ঘ্য ব্যাপ্তি | RT | (কে Ω) / β (25 ℃) | - | 10 ± 3% / 3477 | - |
| অন্যান্য | ESD | Vesd | ভী | - | 500 | |
| সংগ্রহস্থল তাপমাত্রা | Tstg | ℃ | -20 | - | 70 | |
| লিড সোলারিং টেম্প | TLS | ℃ | - | - | 260 | |
| সোনার সময় নেতৃত্ব | টি | সেকেন্ড | - | - | 10 | |
| অপারেটিং কেস তাপমাত্রা | শীর্ষ | ℃ | 15 | - | 35 | |
| আপেক্ষিক আদ্রতা | আরএইচ | % | 15 | - | 75 | |
